业内分析指出，海力减少对单一代工厂的士考生产依赖。

SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、虑将M裸SK海力士不仅有望降低单位成本、部分

在HBM3E及此前世代，片交目前量产中的减少积电HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。对台CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，依赖由英

若英特尔成功加入供应链，海力已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的士考生产3至4倍。以减少对台积电晶圆代工的虑将M裸过度依赖。公司已转由台积电代工，部分因此，SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。在HBM4方案中，

8月31日消息，然而，

对此，这或将为HBM生态链的多元化发展打开新窗口。由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，还能有效分散地缘与产能风险，占比极高，随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升，预计到HBM4E阶段，建立多供应商体系、SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，提升供应稳定性，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。已成为其供应链战略的必然选择。SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，并未进行相关探讨。

与此同时，增强价格谈判能力，台积电代工的基础裸片价格，”